جریان اسپینی در گرافین گافدار تحت کشش تک محوری

اخیراً ساختار الکترونیکی تغییر شکل یافته¬ی شبکه¬ی لانه زنبوری گرافین و بررسی نظری گرافین تحت کشش خیلی مورد توجه قرار گرفته است که به نتایج جالبی می¬انجامد که این نتایج می¬تواند برای بررسی پدیده¬های مربوط به سیستم¬هایی با ساختار گرافین به کار رود با اعمال کشش به صفحه گرافین حامل¬های بار در آن به صورت فرمیون¬های دیراک بدون جرم نامتقارن ظاهر می¬شوند این باعث تغییراتی در سرعت فرمی، تونل¬زنی کلین و رسانندگی ساختارهای گرافین می¬شود در تحقیق حاضر، یک ساختار پایه گرافینی همراه با گاف انرژی تحت کشش در نظر گرفتیم این ساختار شامل سه ناحیه می¬باشد که ناحیه¬ی اول و سوم آن گرافین گافدار تحت کشش و ناحیه¬ی دوم آن یک عایق فرومغناطیسی با ضخامت d که یک ولتاژ vg به آن اعمال نمودیم، می¬باشد مقدار کشش اعمالی کمتر از مقدار بحرانی و جهت آن در جهت زیگزاگ است، این ساختار از لحاظ نظری مورد بررسی قرار می¬گیرد و تأثیر گاف ایجاد شده و کشش را بر ضریب عبور و رسانندگی و میزان قطبیدگی اسپینی به دست آورده و نتایج عددی نمودارهای مربوط به آن نمایش داده می¬شود با بررسی¬های انجام شده به این نتیجه رسیدیم که رفتار احتمال گذار بر حسب پارامتر شدت سد به صورت نوسانی می¬باشد که اعمال کشش باعث افزایش فرکانس نوسان و افزایش گاف باعث افزایش دامنه¬ی نوسان می¬شود و همجنین رفتار میزان قطبیدگی اسپینی بر حسب کشش یک رفتار نوسانی می¬باشد که افزایش گاف به غیر نقاطی که در آن می¬باشد باعث افزایش دامنه¬ی نوسان می¬شود. نتایج به دست آمده حاکی از آن است که گرافین پتانسیل قوی برای کاربرد در وسیله¬های نانو مکانیکی در زمینه¬ی اسپینترونیک دارد.